Nowe tranzystory Super-Junction MOSFET od STMicroelectronics
Tranzystory super-junction z serii MDmesh M6 zaprojektowano do użycia w wysokowydajnych, średniomocowych przetwornicach rezonansowych lub topologii „hard-switching”. Napięcie przełączania zoptymalizowane pod miękkie przełączanie sprawia, że tranzystor jest idealny do zastosowania w konwerterach LLC oraz boost-PFC. Elementy MDmesh M6 zapewniają również dużą wydajność energetyczną w układach korzystających z twardego przełączania. Ładunek bramki (Qg) rzędu 16 nC pozwala na pracę przy wysokich częstotliwościach przełączania.
Nowoczesna technologia ST pomaga zredukować rezystancję w stanie włączenia do 0,036 Ω, co jeszcze bardziej pomaga zwiększyć wydajność i gęstość mocy w takich urządzeniach jak: ładowarki, adaptery mocy, zasilacze i konwertery dla fotowoltaniki.
Więcej informacji na stronie: http://www.st.com/mdmesh-m6-nb
Informacje na temat oferty elementów mocy STMicroelectronics na stronie: http://www.st.com/stpower-md6eshm6-nb
PPTF i ARP S.A. organizują program staży w zakresie mikroelektroniki 
Ustawa o systemach AI – bezpieczny rozwój sztucznej inteligencji w Polsce 
Energa Operator z dofinansowaniem 338 mln PLN na stacje ładowania dla ciężarówek 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
