Nowe tranzystory Super-Junction MOSFET od STMicroelectronics

Tranzystory super-junction z serii MDmesh M6 zaprojektowano do użycia w wysokowydajnych, średniomocowych przetwornicach rezonansowych lub topologii “hard-switching”. Napięcie przełączania zoptymalizowane pod miękkie przełączanie sprawia, że tranzystor jest idealny do zastosowania w konwerterach LLC oraz boost-PFC. Elementy MDmesh M6 zapewniają również dużą wydajność energetyczną w układach korzystających z twardego przełączania. Ładunek bramki (Qg) rzędu 16 nC pozwala na pracę przy wysokich częstotliwościach przełączania.

Nowoczesna technologia ST pomaga zredukować rezystancję w stanie włączenia do 0,036 Ω, co jeszcze bardziej pomaga zwiększyć wydajność i gęstość mocy w takich urządzeniach jak: ładowarki, adaptery mocy, zasilacze i konwertery dla fotowoltaniki.

Więcej informacji na stronie: http://www.st.com/mdmesh-m6-nb

Informacje na temat oferty elementów mocy STMicroelectronics na stronie: http://www.st.com/stpower-md6eshm6-nb

O autorze