Nowe tranzystory Super-Junction MOSFET od STMicroelectronics
Tranzystory super-junction z serii MDmesh M6 zaprojektowano do użycia w wysokowydajnych, średniomocowych przetwornicach rezonansowych lub topologii „hard-switching”. Napięcie przełączania zoptymalizowane pod miękkie przełączanie sprawia, że tranzystor jest idealny do zastosowania w konwerterach LLC oraz boost-PFC. Elementy MDmesh M6 zapewniają również dużą wydajność energetyczną w układach korzystających z twardego przełączania. Ładunek bramki (Qg) rzędu 16 nC pozwala na pracę przy wysokich częstotliwościach przełączania.
Nowoczesna technologia ST pomaga zredukować rezystancję w stanie włączenia do 0,036 Ω, co jeszcze bardziej pomaga zwiększyć wydajność i gęstość mocy w takich urządzeniach jak: ładowarki, adaptery mocy, zasilacze i konwertery dla fotowoltaniki.
Więcej informacji na stronie: http://www.st.com/mdmesh-m6-nb
Informacje na temat oferty elementów mocy STMicroelectronics na stronie: http://www.st.com/stpower-md6eshm6-nb
Technologia Infineon sprawdziła się w kosmosie podczas misji Artemis II 
Scanway wesprze misję Titan systemem obrazowania dla nowej generacji przetwarzania danych i zastosowań AI na orbicie 
Ponad 8,5 mln PLN dla Łukasiewicz – IMiF na zakup reaktora do epitaksji z wiązek molekularnych 
