W pamięciach tych zastosowano 4-przewodowy interfejs SPI o górnej częstotliwości taktowania równej 50 lub 80 MHz, pracujący w trybie 0 lub 3. Układy te mogą być zasilane napięciem od 2,7 do 3,6 V, w stanie aktywnym pobierają prąd o natężeniu 10 mA. Aktywność układu jest wymuszana podaniem niskiego stanu logicznego na linię CE. W czasie, gdy linia ta jest utrzymywana w stanie wysokim, prąd zasilania spada do 5 µA. Liczba cykli kasowanie/zapis jest określana na 100000, a czas przechowywania danych jest szacowany na 100 lat. Jak wiemy, zapis do pamięci Flash może być prowadzony tylko w obrębie jednego bloku/sektora. W pamięciach 25VF wielkość sektora jest równa 4 kB, zaś parametr ten dla bloków overlay może być równy 32 lub 64 kB. Czas kasowania sektora/bloku nie przekracza 18 ms, zaś typowy czas programowania bajtu jest równy 7 µs. Istnieje ponadto rozkaz kasowania całej pamięci, który wykonuje się 35 ms. Podczas blokowego zapisywania danych bardzo przydatna jest funkcja autoinkrementacji licznika adresowego. Zapis danych może być blokowany sprzętowo za pośrednictwem linii WP (Write Protect). W strukturze układu zawarto odpowiednią logikę sterującą zapisywaniem i odczytywaniem danych, co jest konieczne we wszystkich pamięciach typu Flash. Linia HOLD jest wykorzystywana do tymczasowego blokowania przesyłania danych interfejsem SPI, bez konieczności zerowania pamięci przy wznawianiu transmisji. Pamięci pracują w zakresie temperatur od -40°C do +85°C. Układy serii 25VF będące w ofercie TME są dostępne w obudowach TDFN8 , TDFN16, SO8, SOL8 i SOL16. Można je również zamawiać w rolkach.
Uzupełnieniem rodziny 25VF są układy 25WF zasilane napięciem 1,65…1,95 V. Są one dostępne w wersjach: 512 kb, 1, 2, 4 i 8 Mb.
Po transakcjach własnościowych Microchipa w ofercie znalazły się również nowe rodzaje pamięci Flash, do których należy rodzina 49LF. Tworzą ją układy określane jako Firmware Hub for Intel 8xx Chipset. Znajdują zastosowanie w aplikacjach związanych z obsługą PC-BIOS-u. Pamięci 49LF są produkowane podobnie, jak omawiane wcześniej, w technologii Super Flash. Schemat blokowy przedstawiono na rys. 3.
Rys. 3. Schemat blokowy pamięci Flash rodziny 49LF
Pamięci mogą pracować w dwóch trybach: FWH (Firmware Hub Interface) przeznaczonym do zapisywania i odczytywania danych w systemie oraz PP (Parallel Programing) wykorzystywanym do szybkiego programowania produkcyjnego. W trybie FWH jest wykorzystywany 5-przewodowy interfejs komunikacyjny taktowany z częstotliwością 33 MHz. Interfejs równoległy tworzy 11-przewodowa multipleksowana szyna adresowa i 8-przewodowa szyna danych I/O. Pamięci 49LF mają zabezpieczenia przed nieuprawnionym zapisem. Służą do tego dwa wyprowadzenia: WP# (Write Protect) i TBL# (Top Boot Block) chroniący specjalny obszar pamięci, zajmujący najwyższe adresy i obejmujący 16 boot sektorów (64 kB). Ochrona danych zapisanych w pamięci może być również kontrolowana programowo, do czego wydzielono specjalny rejestr sterujący Block Locking Register. Kasowanie pamięci wykorzystujące rozkaz Chip-Erase jest możliwe tylko w trybie PP. Układy 49LF mogą być zasilane napięciem 3.0…3,6 V, pracują w zakresie temperatur od 0°C do +85°C. Układy są dostępne w obudowach: TSOP32, TSOP40, PLCC32 jako pojedyncze sztuki i w rolkach.
Pamięci nieulotne stanowią nieodzowny element niemal każdego nowoczesnego urządzenia elektronicznego. W tym zakresie oferta Microchipa, szczególnie po przejęciu praw do wyrobów Silicon Storage Technology stała się niezwykle atrakcyjna. Opisane w artykule układy są dostępne w TME.
