Texas Instruments LM3410X: bateryjny zasilacz LED z serii Z-Power P4 Seoul Semiconductor
Prąd obciążenia płynący przez diody LED można obliczyć korzystając ze wzoru:
IF=0,19V/R2
gdzie:
IF – prąd płynący przez LED
R2 – rezystancja pomiarowa R2
Pokazany na rysunku 2 schemat aplikacyjny pozwala na stosowanie różnych kombinacji wartości elementów. W tabeli poniżej przedstawiono zestawienie kilku wariantów z uwzględnieniem kluczowych elementów: cewki L1, kondensatora C2 i rezystora R2.
Przykładowe wartości elementów dla różnych parametrów obciążenia przetwornicy z układem LM3410
| Napięcie wyjściowe | Prąd LED | L1 | C2 | R2 |
| 16,5V | 50mA | 10µH/1,2A | 2,2µF | 4,02Ω |
| 16,5V | 50mA | 15µH/1,2A | 2,2µF | 4,02Ω |
| 16,7V | 170mA | 8,2µH/2A | 4,7µF | 1,15Ω |
| 11V | 340mA | 10µH/1,2A | 2,2µF | 0,56Ω |
| 8V | 1A (w impulsie) | 4,7µH/3A | 10µF | 0,2Ω |
Wejście DIM układu LM3410 można wykorzystać do włączania/wyłączania LED podczas pracy układu. Podanie na to wejście napięcia większego od 1,8 V (co na schemacie pokazanym na rysunku 2 zapewnia rezystor R1) powoduje włączenie LED zasilanych przez przetwornicę. Zwarcie wejścia DIM do masy (napięcie poniżej 0,4 V) powoduje wyłączenie diod. Na płytce rolę włącznika spełnia służy zwora JP1 oznaczona DIM (fotografia 3). Możliwe jest również podanie na wejście DIM sygnału PWM o zmiennym wypełnieniu co umożliwia płynną regulację świecenia diod. Zalecana częstotliwość sygnału PWM powinna mieścić się w przedziale 200Hz…1kHz, maksymalne napięcie podawane na wejście DIM nie może mieć wartości większej niż napięcie zasilające, producent nie zaleca także pozostawienia tego wejścia nie dołączonego. Przy braku impulsów i niskim poziomie diody będą wygaszone, przy braku impulsów i wysokim poziomie diody będą świecić się z maksymalną jasnością.
Fot. 3. Budowa zestawu testowego i rozmieszczenie najważniejszych elementów na płytce
Ponieważ podczas konwersji napięcia zasilającego w układzie LM3410 wydziela się sporo ciepła, należy zapewnić jak najlepsze jego odprowadzenie przez połączenie wyprowadzeń do możliwie dużych obszarów miedzi. W przypadku płytek dwustronnych można wykorzystać warstwę po przeciwnej stronie układu scalonego stosując w pobliżu przelotki między obydwiema warstwami.
Podobny problem dotyczy LED zastosowanych w projekcie: pod ich wkładką radiatorową znajduje się pocynowane pole miedzi połączone z podobnym obszarem ulokowanym na dolnej warstwie miedzi. W przypadku wykorzystania prezentowanej płytki jako źródła światła włączanego na czas dłuższy niż kilkanaście minut, konieczne jest zastosowanie dodatkowych radiatorów wspomagających chłodzenie LED.


Projekty inteligentnych sterowników przetwornic z tranzystorami GaN — część 2: konfiguracja i optymalizacja
PM-3133-CPS – inteligentny trójfazowy licznik energii z CANopen
Czujnik drgań STMicroelectronics z wbudowaną AI alternatywą dla czujników piezoelektrycznych do monitorowania urządzeń przemysłowych 


![https://www.youtube.com/watch?v=gHcP8AajoN4 Szymon Robak oprowadza po katowickim Laboratorium Badań Kompatybilności Elektromagnetycznej w Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytucie Sztucznej Inteligencji i Cyberbezpieczeństwa. Zapraszamy na film! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/06/Szymon-Robak-tytulowe.png)
![https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png)

