Firma Infineon Technologies uzupełniła swa ofertę StrongIRFET o tranzystor MOSFET o napięciu znamionowym 40 V, który mieści się w obudowie D2PAK 7pin+. Nowa rodzina układów MOSFET charakteryzuje się bardzo niską rezystancją włączenia RDS(on) równą 0,64 mΩ, a także możliwością pracy z największymi prądami na rynku. To pozwala zwiększyć trwałość i niezawodność systemów o wysokiej gęstości mocy, które jednocześnie wymagają wysokiej sprawności i bezawaryjności. Obudowa D2PAK 7pin+ montowana powierzchniowo jest przeznaczona do napędów pracujących z niskimi napięciami, narzędzi zasilanych z baterii i małych pojazdów elektrycznych.
Nowa obudowa D2PAK 7pin+ stanowi rozszerzenie dotychczasowej bogatej oferty obudów układów StrongIRFET. Dzięki temu klienci mają do wyboru więcej opcji pozwalających znaleźć optymalne rozwiązanie do zasilania swego urządzenia. Ponadto możliwość wyboru układu wyprowadzeń pośród wielu wariantów nowej obudowy zapewnia duża swobodę projektowania. W porównaniu do wersji w standardowej obudowie D2PAK 7pin, nowe układy uzyskują do 15% mniejszą rezystancję włączenia RDS(on), a także do 39% niższą rezystancję termiczną między złączem a powierzchnią płytki PCB.
Struktura obudowy została udoskonalona, aby zmieścić układ scalony o powierzchni o 20% większej, zachowując te same rozmiary zewnętrzne, co standardowa obudowa D2PAK 7pin. Dzięki temu może ona zastąpić dotychczasowe układy w obudowach D2PAK 7pin oraz H2PAK. Ponadto układ został zaprojektowany do pracy z poziomami logicznymi dobranymi tak, aby umożliwić wysterowanie tranzystora MOSFET bezpośrednio przez mikrokontroler. To pozwala zaoszczędzić miejsce na płytce, które zazwyczaj jest ograniczone – szczególnie w przypadku narzędzi zasilanych z baterii.
Układ StrongIRFET w o budowie D2PAK 7pin+ jest już dostępny w sprzedaży. Szczegółowe informacje znajdują się na stronie produktów.
