Nowe tranzystory N-MOSFET firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty dwa nowe modele tranzystorów N-kanałowych o napięciu 80 V. Przeznaczone są do aplikacji dużej mocy o minimalnych wymaganych stratach energii, w tym konwerterach AC-DC i DC-DC. Znajdą też zastosowanie w centrach danych, komunikacyjnych stacjach bazowych, a także przy sterowaniu silników.

Oba elementy – TPH2R408QM oraz TPN19008QM wytworzono w procesie U-MOSX-H. Oferują redukcję rezystancji R_DS(ON) o 40% w porównaniu do tranzystorów poprzedniej generacji. Rezystancja R_DS(ON) w elemencie TPN19008QM wynosi maksymalnie 19 mΩ, natomiast dla TPH2R408QM ta wartość jest równa jedynie 2,43 mΩ.

Oba tranzystory są dostępne w obudowach montowanych powierzchniowo. Mogą pracować w temperaturach do 175 °C. TPN19008QM może pracować z prądem drenu do 34 A i ma wymiary 3,3 x 3,3 mm. Natomiast TPH2R408QM  ma maksymalny prąd drenu 120 A i jest dostępny w obudowie SOP o wymiarach 5,0 x 6,0 mm.

Więcej informacji na stronie producenta: TPN19008QM oraz TPH2R408QM.