LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Aktualności

16.04.2020

Nowe tranzystory N-MOSFET firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty dwa nowe modele tranzystorów N-kanałowych o napięciu 80 V. Przeznaczone są do aplikacji dużej mocy o minimalnych wymaganych stratach energii, w tym konwerterach AC-DC i DC-DC. Znajdą też zastosowanie w centrach danych, komunikacyjnych stacjach bazowych, a także przy sterowaniu silników.

Oba elementy – TPH2R408QM oraz TPN19008QM wytworzono w procesie U-MOSX-H. Oferują redukcję rezystancji RDS(ON) o 40% w porównaniu do tranzystorów poprzedniej generacji. Rezystancja RDS(ON) w elemencie TPN19008QM wynosi maksymalnie 19 mΩ, natomiast dla TPH2R408QM ta wartość jest równa jedynie 2,43 mΩ.

Oba tranzystory są dostępne w obudowach montowanych powierzchniowo. Mogą pracować w temperaturach do 175 °C. TPN19008QM może pracować z prądem drenu do 34 A i ma wymiary 3,3 x 3,3 mm. Natomiast TPH2R408QM  ma maksymalny prąd drenu 120 A i jest dostępny w obudowie SOP o wymiarach 5,0 x 6,0 mm.

Więcej informacji na stronie producenta: TPN19008QM oraz TPH2R408QM.

Autor: Toshiba
Tagi: MOSFET, podzespoły, Toshiba

Przeczytaj również:

Scanway zwiększa przychody, inwestuje w zaplecze produkcyjne i zawiera nowe kontrakty
Sieć Badawcza Łukasiewicz rozwija laboratoria przemysłu wysokich technologii
Grupa Volkswagen i Uniwersytet Techniczny w Brunszwiku zacieśniają współpracę badawczą w dziedzinie sztucznej inteligencji i mobilności