Nowe tranzystory superjunction MOSFET 650 V firmy Toshiba

Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty 5 nowych tranzystorów MOSFET o napięciu do 650 V, wykonanych w technologii superjunction. Elementy są dostępne w nowej kompaktowej obudowie SMD TOLL. Tranzystory mają wymiary jedynie 9,9 x 11,68 x 2,3 mm, co oznacza 27% mniejsze wymiary niż tradycyjna obudowa D2PAK. Wśród typowych zastosowań elementów należą: zasilacze serwerowe, konwertery energii słonecznej, zasilacze UPS, a także inne aplikacje przemysłowe.

Nowe tranzystory należą do serii DTMOS VI cechującej się niską rezystancją w stanie włączenia rzędu 65 mΩ. Dodatkowo, 4-pinowa obudowa oferuję opcję dołączenia tzw. źródła kelwinowskiego. Ta opcja umożliwia m.in. na redukcję indukcyjności pasożytniczej na wejściu oraz na poprawę sprawności przełączania dzięki tłumieniu oscylacji. Przykładowo, w porównaniu do ekwiwalentnego tranzystora w obudowie TO-247 bez wyprowadzenia kelwinowskiego, element TK090N65Z oferuje o 68% niższe straty przy włączaniu i o 56 % niższe straty przy wyłączaniu.

Tranzystory DTMOS VI w obudowie TOLL umożliwia zmniejszenie wymiarów rozwiązania oraz poprawę sprawności energetycznej. Oferują bardzo wysoką sprawność przełączania dzięki bardzo dobremu iloczynowi FOM (Rds(on) x Qdg).

Więcej informacji na stronie producenta: TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z, TK190U65Z