Nowe tranzystory MOSFET z superzłączem firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty cztery nowe tranzystory mocy MOSFET z superzłączem. Elementy są przeznaczone do aplikacji przemysłowych, zasilaczy do oświetlenia, a także innych zastosowań wymagających wysokiej sprawności energetycznej oraz niewielkich wymiarów.
Tranzystory MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z oraz TK190E65Z oferują 40% niższy iloczyn rezystancji dren-źródło w stanie włączenia (RDSON) oraz ładunku bramka-dren (Qgd) (tzw. parametr Figure of Merit, FoM). Oznacza to znaczące zmniejszenie strat przełączania, a więc implementacja nowych elementów pozwala na wzrost sprawności energetycznej systemu.
Wszystkie cztery układy mają napięcie znamionowe VDDS na poziomie 650 V oraz wydajność prądową rzędu 30 A. Rezystancja RDSON wynosi 0,09 Ω, natomiast ładunek Qdg jest rzędu 7,1 nC. Tranzystory są dostępne w obudowach TO-220.
Więcej informacji na stronach produktów: TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z, TK190E65Z
Scanway zwiększa przychody, inwestuje w zaplecze produkcyjne i zawiera nowe kontrakty 
Sieć Badawcza Łukasiewicz rozwija laboratoria przemysłu wysokich technologii 
Grupa Volkswagen i Uniwersytet Techniczny w Brunszwiku zacieśniają współpracę badawczą w dziedzinie sztucznej inteligencji i mobilności 
![Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png "https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s")
