Nowe tranzystory MOSFET z superzłączem firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty cztery nowe tranzystory mocy MOSFET z superzłączem. Elementy są przeznaczone do aplikacji przemysłowych, zasilaczy do oświetlenia, a także innych zastosowań wymagających wysokiej sprawności energetycznej oraz niewielkich wymiarów.
Tranzystory MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z oraz TK190E65Z oferują 40% niższy iloczyn rezystancji dren-źródło w stanie włączenia (RDSON) oraz ładunku bramka-dren (Qgd) (tzw. parametr Figure of Merit, FoM). Oznacza to znaczące zmniejszenie strat przełączania, a więc implementacja nowych elementów pozwala na wzrost sprawności energetycznej systemu.
Wszystkie cztery układy mają napięcie znamionowe VDDS na poziomie 650 V oraz wydajność prądową rzędu 30 A. Rezystancja RDSON wynosi 0,09 Ω, natomiast ładunek Qdg jest rzędu 7,1 nC. Tranzystory są dostępne w obudowach TO-220.
Więcej informacji na stronach produktów: TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z, TK190E65Z
SGH kształci menedżerów dla sektora kosmicznego 
Inżynierowie mogą bezpłatnie przetestować Arduino VENTUNO Q 
ESA i Mistral łączą siły w obszarze AI 
![O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY")
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
