Firma Infineon Technologies AG wprowadziła na rynek tranzystory MOSFET CoolSiC™ 1200 V G2 w obudowie Q-DPAK chłodzonej od góry (TSC). Nowe układy zapewniają zoptymalizowaną wydajność termiczną, sprawność systemu i gęstość mocy. Zostały one zaprojektowane specjalnie z myślą o wymagających zastosowaniach przemysłowych, wymagających wysokiej wydajności i niezawodności, takich jak ładowarki pojazdów elektrycznych, falowniki do zastosowań fotowoltaicznych, zasilacze UPS, napędy silników i wyłączniki półprzewodnikowe.

Nowa technologia CoolSiC 1200 V G2 oferuje znaczące udoskonalenia w porównaniu z poprzednią generacją. Umożliwia uzyskanie nawet o 25% niższych strat przełączania porównaniu z tranzystorami o równoważnej rezystancji R_DS(on). Tym samym o 0,1% została zwiększona sprawność systemu. Ulepszona technologia połączeń międzyukładowych XT Infineona zastosowana w tranzystorach G2 zapewnia o ponad 15% niższą rezystancję termiczną i o 11% niższą temperaturę tranzystora MOSFET w porównaniu z produktami z rodziny G1. Wyjątkowe niskie wartości R_DS(on), wynoszące od 4 mΩ do 78 mΩ oraz szeroka gama produktów, dają projektantom elastyczność w optymalizacji wydajności systemu w docelowych zastosowaniach. Ponadto, nowa technologia umożliwia pracę przeciążeniową do temperatury złącza (Tvj) 200°C i charakteryzuje się wysoką odpornością na pasożytnicze włączanie, zapewniając niezawodną pracę w dynamicznych i wymagających warunkach.

Tranzystory MOSFET CoolSiC 1200 V G2 są dostępne w dwóch konfiguracjach Q-DPAK: pojedynczego przełącznika i podwójnego półmostka. Dzięki standardowej wysokości obudowy wynoszącej 2,3 mm we wszystkich wariantach TSC – w tym Q-DPAK i TOLT – platforma oferuje elastyczność projektowania i umożliwia klientom skalowanie i łączenie różnych produktów na jednym radiatorze. Taka elastyczność projektowania upraszcza rozwój zaawansowanych systemów zasilania, ułatwiając klientom dostosowywanie i skalowanie swoich rozwiązań.

Obudowa Q-DPAK poprawia wydajność termiczną, zapewnia znacznie lepszą efektywność wymiany ciepła w porównaniu z tradycyjnymi obudowami chłodzonymi od dołu. Ważną zaletą obudowy Q-DPAK jest ponadto zminimalizowana indukcyjność pasożytnicza, co ma kluczowe znaczenie dla wyższych prędkości przełączania. Wydajność systemu jest dzięki temu zwiększona, zmniejszone jest również ryzyko przepięć. Kompatybilność z automatycznymi procesami montażu upraszcza produkcję, zapewniając opłacalność i skalowalność.

Źródło: informacje prasowe