Infineon rozszerza portfolio OptiMOS™ 6 o tranzystory MOSFET 150 V w pakietach TOLL, TOLG i TOLT
Wraz z rosnącą elektryfikacją pojazdów na całym świecie, zapotrzebowanie na wydajne, kompaktowe i niezawodne systemy zasilania stale rośnie – nie tylko w samochodach osobowych, ale także w elektrycznych pojazdach dwukołowych. Pojazdy te wymagają specjalnych systemów, takich jak przetwornice DC/DC HVLV w pojazdach xEV i falowniki trakcyjne w elektrycznych pojazdach dwukołowych, które muszą spełniać wysokie standardy jakości, a jednocześnie sprostać znacznym wyzwaniom technicznym, handlowym i produkcyjnym.

Nowa rodzina samochodowych tranzystorów MOSFET, oparta na technologii OptiMOS 6. generacji firmy Infineon, oferuje dwa różne poziomy rezystancji dren-źródło we wszystkich wariantach urządzeń. Wszystkie warianty są oceniane dla klasy napięcia 150 V i zapewniają najniższy RDS(on) dostępny w tej klasie, osiągając zaledwie 2,5 mΩ. Zapewnia to minimalne straty przewodzenia i doskonałą wydajność. Ścisły rozkład napięcia progowego bramki (VGS(th)) wspiera optymalną synchronizację, gdy wiele tranzystorów MOSFET jest używanych w konfiguracjach równoległych, co jest szczególnie istotne w systemach motoryzacyjnych o dużej mocy. Urządzenia charakteryzują się również niskimi stratami przełączania do wysokich częstotliwości, co pozwala na wysoce wydajną pracę w aplikacjach o szybkim przełączaniu, takich jak nowoczesne konwertery DC/DC. Jeśli chodzi o wydajność termiczną, warianty te osiągają rezystancję termiczną tak niską, jak 0,4 K/W. Znacząco poprawia to rozpraszanie ciepła, zmniejsza wymagania dotyczące chłodzenia na poziomie systemu i obniża związane z tym koszty.
Każdy z trzech typów pakietów oferuje określone zalety: TO-Leadless (TOLL) 10×12 mm² umożliwia kompaktową konstrukcję. Pakiet TOLG 10×12 mm² jest kompatybilny z pakietem TOLL, z dodatkową funkcją wyprowadzeń typu gullwing dla wysokiej odporności na naprężenia termiczno-mechaniczne. Tymczasem pakiet TOLT o wymiarach 10×15 mm² charakteryzuje się koncepcją chłodzenia od góry, która umożliwia wydajne rozpraszanie ciepła na poziomie systemu, dzięki czemu doskonale nadaje się do wymagających termicznie aplikacji w środowiskach o ograniczonej przestrzeni. Co więcej, tranzystory OptiMOS 6 150 V MOSFET firmy Infineon spełniają najwyższe standardy jakości Infineon Automotive Quality i przewyższają wymagania normy AEC-Q101. Ponadto są one zgodne z PPAP, co ułatwia spełnienie najwyższych standardów produkcji motoryzacyjnej. Wszystkie te możliwości pozwalają inżynierom zoptymalizować projekty systemów pod kątem konkretnych potrzeb w zakresie wydajności i ograniczeń budżetowych.
Źródło: informacje prasowe

[RAQ] Czy można sterować tranzystorami GaNFET za pomocą sterownika DC-DC pierwotnie zaprojektowanego dla krzemowych tranzystorów MOSFET?
512 Mbit QSPI NOR Flash firmy Infineon do zastosowań satelitarnych ma kwalifikację zgodną z DLAM QML-V i QML-P
CEZAMAT PW – zdjęcia oraz komentarze uczestników wycieczki zorganizowanej przez prof. Romualda B. Becka 

![https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png)



