Texas Instruments prezentuje sterowniki IGBT/SiC MOSFET ze zintegrowanymi zabezpieczeniami
Texas Instruments zaprezentował nowe sterowniki bramki IGBT/SiC MOSFET. Układy charakteryzują się dużymi możliwościami w zakresie monitorowania, a także wszechstronnymi zabezpieczeniami. Sterowniki oznaczone numerami UCC21710-Q1, UCC21732-Q1 oraz UCC21750 pozwalają na projektowanie mniejszych i wydajniejszych układów, tj. przetwornic trakcyjnych, ładowarek pokładowych, falowników solarnych, a także sterowników silnika i wielu innych.
Układy oferują zintegrowane czujniki prądu dla tranzystorów IGBT oraz SiC MOSFET. Pozwala to uprościć projekt oraz zapewnić niezawodność systemu przy napięciach do 1,5 kV. Układy zapewniają szybkie (ok. 200 ns) wykrywanie i uruchomienie zabezpieczeń przed skutkami nadmiernego prądu, a także bezpieczne przeprowadzenie wyłączenia systemu.
Sterowniki potrafią operować prądem nawet do ±10 A. Bariera izolacji jest w stanie przetrzymać napięcie nawet do 12,8 kV, natomiast napięcie wyjściowe drivera może mieć współczynnik CTMI równy 150 V/ns.
Więcej informacji na stronach produktów:
www.ti.com/product/UCC21710-Q1
Do Wojska Polskiego trafi 360 dronów uderzeniowych WARMATE za 100 mln PLN – jest kontrakt z WB Electronics 
Kontrakty zbrojeniowe i obronnościowe: praktyczne wyzwania oraz nowe realia prawne 
Kwantowa antena radiowa opracowana przez naukowców z Wydziału Fizyki i Centrum Nowych Technologii UW 
