11.12.2019
Nexperia wprowadza do oferty efektywne tranzystory GaN FET
Nexperia wprowadza do oferty tranzystory FET zbudowane z azotku galu (GaN). Pierwsze elementy z tej serii to GAN063-650WSA oferujące napięcie do 650 V, napięcie bramka-źródło (VGS) z zakresu +/- 20 V oraz temperaturą pracy od -55°C do +175°C. Tranzystor charakteryzuje się także niską rezystancją w stanie włączenia – Rds(on) – na poziomie 60 mΩ, a także szybkim przełączaniem i dużą wydajnością.
Tranzystory znajdą zastosowanie w aplikacjach, gdzie konieczna jest duża sprawność energetyczna, takich jak przemysł, infrastruktura telekomunikacyjna centra danych oraz pojazdy elektryczne.
Elementy będą dostępne w obudowach TO-247.
Więcej informacji na stronie: https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html
Global Electronics Association opublikowało normę IPC-A-630A dotyczącą obudów elektronicznych 
Microchip i Micron prezentują architekturę pamięci masowej PCIe® Gen 6 dla AI oraz centrów danych 
Farnell podejmuje współpracę z Hailo w zakresie Edge AI 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
