Tranzystory MOSFET SiC trzeciej generacji firmy Toshiba

Toshiba wprowadziła do oferty pięć nowych tranzystorów MOSFET trzeciej generacji wykonanych z węgliku krzemu (SiC). Elementy mają napięcie znamionowe 650 V i zaprojektowano je do aplikacji w sprzęcie przemysłowym.

Produkty cechują się wysoką sprawnością oraz wszechstronnością. Można je użyć w wielu wymagających układach, takich jak przetwornice impulsowe oraz zasilacze UPS dla serwerów, centrów danych i urządzeń telekomunikacyjnych. Znajdą także zastosowanie w systemach energii odnawialnej w tym w inwerterach fotowoltaicznych i dwukierunkowych przetwornicach DC/DC używanych w np. ładowaniu samochodów elektrycznych.

Tranzystory TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C oraz TW107N65C wykonano w procesie SiC trzeciej generacji firmy Toshiba. W stosunku do drugiej generacji oferuje on zoptymalizowaną strukturę komórkową. Oznacza to 80% lepszy parametr FoM (iloczyn R_DS(on) and Q_g) reprezentujący straty statyczne i dynamiczne. Są w stanie obsłużyć prądy do 100 A przy rezystancji R_DS(on) do 15 mΩ. Są dostępne w standardowych obudowach TO-247.

Więcej informacji na stronach produktów: TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C, TW107N65C