Infineon ma umowę z firmą Wolfspeed na dostawę płytek z węglika krzemu o średnicy 200 mm

Infineon Technologies AG oraz Wolfspeed podpisały nową wieloletnią umowę na dostawę podłoży z węglika krzemu (SiC) o średnicy 200 mm. Obejmuje ona przeniesienie technologii ze średnicy 150 mm na 200 mm. Wzmocni też odporność łańcucha dostaw, który stanowi podstawę strategii rozwoju w zakresie SiC.

Źródło: Infineon

Półprzewodniki SiC stały się kluczową technologią umożliwiającą wdrażanie rozwiązań w zakresie elektryfikacji i efektywności energetycznej, które napędzają globalną dekarbonizację. Począwszy od pojazdów elektrycznych i systemów energii odnawialnej, po infrastrukturę zasilającą centra danych oparte na sztucznej inteligencji.

Węglik krzemu w transformacji energetycznej

– Węglik krzemu stanowi serce transformacji energetycznej, a zapewnienie wysokiej jakości i niezawodnych dostaw podłoży o średnicy 200 milimetrów ma zasadnicze znaczenie dla realizacji długoterminowych zobowiązań naszych klientów. Umowa ta jeszcze bardziej poszerza naszą silną bazę dostawczą dla produkcji wielkoseryjnej na podłożach 200-milimetrowych, opierając się na 20-letniej współpracy dostawczej między naszymi firmami. Wzmacnia ona bezpieczeństwo łańcucha dostaw dla naszych klientów oraz zapewnia dodatkową elastyczność i skalowalność, które będą wspierać przyszły rozwój firmy Infineon – powiedział Alexander Gorski, dyrektor operacyjny w firmie Infineon.

Alexander Gorski, dyrektor operacyjny w firmie Infineon.

Centra danych AI zwiększają popyt na półprzewodniki mocy SIC

Centra danych oparte na sztucznej inteligencji zaczynają odgrywać coraz większą rolę jako istotny czynnik napędzający popyt na półprzewodniki mocy SiC. Sprawność konwersji mocy w całym łańcuchu zasilania centrum danych stanowi bezpośredni czynnik wpływający na koszty operacyjne dla hiper-skalerów zarządzających infrastrukturą na dużą skalę.

Sprawność przełączania i właściwości termiczne SiC sprawiają, że jest to technicznie odpowiednia opcja dla określonych etapów konwersji mocy, w których krzem osiąga swoje praktyczne ograniczenia. W połączeniu z rosnącym wykorzystaniem SiC w układach napędowych pojazdów elektrycznych, falownikach solarnych i przemysłowych napędach silnikowych trendy te potwierdzają bardzo dobre długoterminowe perspektywy dla wysokiej jakości podłoży SiC o średnicy 200 mm.

Źródło: Infineon

Większa oszczędność w procesie produkcji

Przejście na płytki SiC o średnicy 200 mm zapewnia znaczną oszczędność w produkcji, w porównaniu z produkcją na płytkach o średnicy 150 mm. Zwiększona powierzchnia użytkową matrycy na płytkę obniża jednostkowy koszt podłoża i poprawia ogólną wydajność produkcji.

Firma Infineon stosuje strategię pozyskiwania podłoży SiC z wielu źródeł, aby zachować elastyczność łańcucha dostaw i jakość w całej swojej globalnej sieci produkcyjnej. Źródłem podłoży SiC o średnicy 200 mm jest również fabryka w Kulim, w Malezji.