Firma Fairchild Semiconductor, teraz należąca o ON Semiconductor, wprowadziła rodzinę n-kanałowych tranzystorów MOSFET o nazwie SuperFET III. Jest to nowa generacja tranzystorów MOSFET o napięciu znamionowym 650 V, która pozwala uzyskać wyższą gęstość mocy i […]
MOSFET SiC o napięciu znamionowym 1700 V
Firma Rohm Semiconductor wprowadziła do swej oferty tranzystor MOSFET wykonany z węgliku krzemu (SiC) o napięciu znamionowym 1700 V. Jest on przeznaczony do zastosowań przemysłowych, w tym linii montażowych i różnego typu inwerterów dużej mocy. […]
Nowe kompaktowe sterowniki bramki z większym odstępem izolacyjnym
Nowe układy 1EDI Compact 300 mil zostały zaprojektowane z myślą o sterowaniu wysokonapięciowymi tranzystorami MOSFET oraz IGBT dużej mocy.
[SZKOLENIE] Tranzystory mocy OptiMOS i StrongIRFET firmy Infineon
Producent zaprasza do skorzystania z darmowego szkolenia dostępnego w Internecie
Toshiba prezentuje tranzystory MOSFET w obudowie zapewniającej efektywne chłodzenie
Nowe obudowy DSOP Advance zwiększają szybkość odprowadzania ciepła o ponad 30%.
Nowe przekaźniki Panasonic z tranzystorami PhotoMOS
Trzy nowe przełączniki Panasonic otwierają wiele nowych możliwości, zwłaszcza w zastosowaniach pomiarowych i testerach płytek oraz układów scalonych.