Portal Mikrokontroler.pl prezentuje aktualności ze świata elektroniki oraz materiały edukacyjne (tutoriale, przykładowe projekty)
Firma Microchip przedstawiła nową pamięć SuperFlash z interfejsem szeregowym Quad I/O. Model SST26WF064C jest niskonapięciowym układem o pojemności 64 megabitów. Pamięć wykorzystuje technologię DTR (podwójną szybkość transferu) oraz autorskie rozwiązanie SuperFlash NOR Flash, dzięki którym […]
Toshiba Electronics Europe GmbH zapowiedziała nową serię SG6 najnowszych dysków klienckich SSD Toshiba, które mają być wyposażone w 64-warstwową pamięć BiCS FLASH z komórkami zapisującymi 3 bity informacji TLC (ang. Triple Level Cell), aby oferować […]
Firma Apacer wprowadziła nowy dysk twardy AC532. Wyróżnia się on ergonomicznym kształtem i wysoką odpornością na uszkodzenia, a także atrakcyjną ceną. AC532 został wyposażony w wewnętrzną strukturę antywibracyjną, która pozwala przetrwać upadek z wysokości 1 […]
Firma Samsung Electronics wprowadziła nowe przenośne dyski SSD (PSSD) T5, które uzyskują rekordową wydajność wśród produktów pamięci zewnętrznej. Modele T5 wykorzystują najnowszą technologię 64-warstwowych pamięci V-NAND opracowaną przez Samsunga. Oferują wysokie szybkości transferu oraz szyfrowanie […]
Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła na rynek nowe dyski twarde z serii AL14SX – rodzinę dysków o wydajności korporacyjnej, pracujących z prędkością 15 000 obr./min, przeznaczonych do serwerów i pamięci masowych o krytycznym znaczeniu. Dzięki […]
Firma Winbod Electronics, dostawca pamięci półprzewodnikowych, rozszerzyła swą ofertę układów Flash o nowe pamięci SpiFlash pracujące z najniższymi napięciami na rynku. Układy NOR Flash z rodziny SpiFlash działają z napięciami 1,2 lub 1,5 V i […]
Avnet Silica oferuje Dysk Flash (EFD) SanDisk Industrial iNAND 7250 dla systemów wbudowanych, który został zaprojektowany pod kątem połączonych urządzeń pracujących w sieciach przemysłowych i systemach typu Internet Przedmiotów. Docelowe zastosowania obejmują między innymi systemy […]
Podczas projektowania urządzeń wbudowanych z pamięciami DDR istotnym wyzwaniem jest zachowanie integralności sygnałowej w obliczu fluktuacji napięć zasilania i masy. Problem staje się coraz poważniejszy, w miarę jak napięcia zasilania są obniżane, a częstotliwość pracy […]
Dzięki zastosowaniu struktury SOTB pamięć firmy Renesas zużywa tylko 13,7 nW/Mbit i potrzebuje tylko 1,84 ns na odczyt danych. Jak osiągnięto takie efekty? W technologii SOTB (ang. Silicon on Thin Box), w odróżnieniu od tradycyjnej […]
Fujitsu podwaja objętość danych, które mogą być chronione przez hybrydowe systemy pamięci masowej klasy podstawowej ETERNUS DX S4, dzięki rozszerzeniom zwiększającym wydajność i pojemność wszystkich produktów z tej rodziny. Dzięki nowej rodzinie systemów ETERNUS DX […]