Portal Mikrokontroler.pl prezentuje aktualności ze świata elektroniki oraz materiały edukacyjne (tutoriale, przykładowe projekty)
Toshiba wprowadziła do oferty nowe tranzystory super-junction N-MOSFET z serii DTMSOSVI. Elementy mają napięcie pracy 650 V. Osiem nowych tranzystorów charakteryzują się bardzo dobrym parametrem FoM (Figure of Merit) czyli iloczynem rezystancji RDS(ON) oraz ładunku […]
Diodes Incorporated wprowadziło do oferty dyskretne tranzystory mocy MOSFET nowej generacji o oznaczeniu DMN3012LEG. Umożliwiają zwiększenie sprawności układu, zmniejszenie rozmiarów, a także spadek kosztów i oszczędność energii. Tranzystory znajdą zastosowanie w konwerterach mocy i aplikacjach […]
Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty dwa nowe modele tranzystorów N-kanałowych o napięciu 80 V. Przeznaczone są do aplikacji dużej mocy o minimalnych wymaganych stratach energii, w tym konwerterach AC-DC i DC-DC. Znajdą też […]
Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty tranzystory mocy N-MOSFET o maksymalnym napięciu VDS równym 100 V. Elementy są dostępne w montowanej powierzchniowo obudowie SOP Advance i są przeznaczone do aplikacji automotive. Tranzystory zaprojektowano do nowoczesnych […]
Microchip, za pośrednictwem marki Microsemi, wprowadził do produkcji rodzinę elementów z węgliku krzemu (SiC). Elementy wykonane z tego materiału oferują dużą wytrzymałość oraz wydajność. Produkty pomagają spełnić rosnące wymagania na sprawność energetyczną, wytrzymałość oraz gęstość […]
Infineon zaprezentował nową rodzinę tranzystorów mocy MOSFET – OptiMOS 6. Dzięki zastosowaniu technologii cienkiego wafla krzemowego w produkcji, elementy zyskują lepszą wydajność oraz szerszy zakres napięcia pracy. Tranzystory świetnie sprawdzą się w zasilaczach dla serwerów, […]
Texas Instruments zaprezentował nowe sterowniki bramki IGBT/SiC MOSFET. Układy charakteryzują się dużymi możliwościami w zakresie monitorowania, a także wszechstronnymi zabezpieczeniami. Sterowniki oznaczone numerami UCC21710-Q1, UCC21732-Q1 oraz UCC21750 pozwalają na projektowanie mniejszych i wydajniejszych układów, tj. […]
Tranzystory super-junction z serii MDmesh M6 zaprojektowano do użycia w wysokowydajnych, średniomocowych przetwornicach rezonansowych lub topologii „hard-switching”. Napięcie przełączania zoptymalizowane pod miękkie przełączanie sprawia, że tranzystor jest idealny do zastosowania w konwerterach LLC oraz boost-PFC. […]
Układ MMBT7002DW zawiera dwa niezależna tranzystory N-MOSFET z krótkimi czasami przełączenia w obudowie SOT-363. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 60 V, a prąd drenu wynosi 115 mA. Każdy tranzystor może być sterowany sygnałem o poziomie logicznym […]
Zalety węgliku krzemu (SiC), materiału półprzewodnikowego o szerokiej przerwie zabronionej, są dobrze znane projektantom systemów wysokonapięciowych. Jednak wady produktów tego typu oraz trudności związane z samym łańcuchem dostaw dotychczas skutecznie zniechęcały projektantów od podejmowania ryzyka […]