Nowe układy MOSFET odporne na promieniowanie

Firma IR HiRel należąca do Infineon Technologies wprowadziła pierwsze n-kanałowe tranzystory MOSFET odporne na promieniowanie, oparte na autorskiej technologii R9. W porównaniu do poprzednich technologii, zastosowanie tego rozwiązania zapewnia mniejsze rozmiary i wagę układu oraz […]

MOSFET SiC o napięciu znamionowym 1700 V

Firma Rohm Semiconductor wprowadziła do swej oferty tranzystor MOSFET wykonany z węgliku krzemu (SiC) o napięciu znamionowym 1700 V. Jest on przeznaczony do zastosowań przemysłowych, w tym  linii montażowych i różnego typu inwerterów dużej mocy. […]